模拟电子技术回顾 （一）

概述

集体三极管在模电中主要是放大区，而在数电中主要是截止区和饱和区；

N型半导体-掺杂5价-多子为电子；P反之——高温下的杂质半导体会失效

扩散电流（半导体独有）与漂移电流

PN结-图像——宽度与掺杂浓度有关；伏安特性-曲线、击穿；温度特性；电容特性——势垒and扩散（均为非线性）

二极管

伏安特性曲线——正、反（Si，Ge）；直流电阻非线性（可由图中得到）；交流电阻（与温度有关，体现在静态工作点的斜率的倒数）；最高工作频率——受结电容影响

几类特殊二极管

--稳压二极管：反向击穿稳压特性；限幅电路和稳压电路——图像、工作区域；符号

--变容二极管：电容随反向电压增大而减小

--肖特基二极管（表面势垒二极管）：多子导电，消除少子的存储效应，有良好的高频特性；导通电压和击穿电压低于PN结二极管

--光电二极管：光能转化为电能——光生电流

二极管模型：理想；恒压降；折线；小信号模型（低频和高频——考虑电容Cj）

应用：

--整流电路：交流变直流

--稳压电路：稳压二极管反偏，需要限流电阻使工作条件满足

--限幅电路：单向/双向（图像）；上下门限值由直流电压控制；两只稳压管组成的结构

--开关电路

晶体三极管

分类结构和符合

--结构、名称——PNP and NPN；发射区的掺杂浓度高于集电区，基极的掺杂浓度最低；基区很薄，集电区的面积比发射区大——不对称！

电流分配和放大作用——示意图；由本身结构（不对称）和外部条件决定（发射结正偏，集电结反偏）；薄的基区将发射结和集电结紧密结合，使得发射结的正向电流全部传输到反偏的集电结回路中

--发射区向基区注入电子，是发射极电流的主要成分

--电子在基区边扩散边复合，基区中与电子符合的空穴由基极电源提供，形成基区复合电流，是基极电流的主要部分

--扩散到集电结的电子被集电区收集，该收集电流是集电极电流的主要部分

电流关系 详见书

--共射极直流电流放大倍数β：公式；基区每复合一个电子，就有β个电子扩散到集电区——Ie=Ib+Ic，Ic=βIb

--共基极直流电流放大系数α：公式；发射极电流转化为集电极电流的能力——β=α/(1-α)

三极管的放大作用——信号功率的放大，电压放大等

三极管的伏安特性曲线——记住图像；输入特性；输出特性

--放大区：E正偏，C反偏——ic=ibβ；ib一定时，ic有恒流特性

--饱和区：E C均正偏——vce<vbe

--截止区：E C均反偏——ib ic都约为0

--击穿区

（未完待续...）